有“港股 SiC IDM 芯片第一股”之称的基本半导体(09971)于6月29日正式启动招股。

据招股书披露，公司拟全球发售2738.62万股H股(假设超额配股权未获行使)，其中香港公开发售136.94万股，国际配售2601.68万股。发行价区间定为每股27.49至31.62港元，对应IPO市值约83.65亿至96.22亿港元。

按此测算，基本半导体在此次IPO募资总额预计达7.53亿至8.66亿港元。公司的招股将于7月3日结束，预计在7月6日定价，并于7月8日正式在港交所主板挂牌买卖。

值得留意的是，当前港股新股市场正处于阶段性供给高峰，同期处于认购阶段的新股多达7家，资金分流效应凸显。在存量博弈的格局下，资金只会向基本面确定性更高的标的集中。反观基本半导体，虽然公开发售凭借稀缺筹码有望获得大幅的超额认购，但由于公司目前仍面临着明显的经营挑战，这种由筹码结构带来的短期情绪高涨，恐难掩长期估值压力，上市后股价表现或受明显制约。

未引入基石投资者，国配“锁筹”缺失

基本半导体此次IPO依托港交所18C章特专科技公司上市通道推进，其全球发售2738.62万股H股仅占公司总股本的9%(超额配授权未获行使)，对应的发行市值在7.53亿至8.66亿之间，整体的发行规模并不算大。

其中，香港公开发售136.94万股仅占发售股份的5%，国际配售2601.68万股占比95%。随着超购倍数的提升，公开发售项下占比最高可回拨至20%。

尽管当前港股新股供给偏宽松，但在近期打新热情高涨、半导体行业成市场主线、以及公开发售占比仅5%这三大因素的共同支撑下，基本半导体公开发售获得大额超额认购将会是高确定性事件。这在首日的孖展数据上已有所体现，截至6月29日17时，基本半导体孖展总额为49.8亿港元，以发行价上限测算对应公开发售已超额认购约115倍。

但恰恰是这种“公开发售高热度”，对本次无基石的基本半导体而言未必是好事。复盘过往18C新股表现，基本面尚在兑现期的企业，往往会靠“压低初始公开发售占比+引入基石锁定国配筹码”的组合拳，人为收紧流通盘，靠筹码稀缺性支撑上市初期股价。

而基本半导体本次初始5%的公开发售占比已是18C规则允许的零售最低份额，即便超购触发回拨，占比最高也仅能到20%——“压公开发售”做到了极致，但“锁国际配售”这一核心环节完全缺失。

在国际配售几乎无硬约束的情况下，一旦公开发售热度推高上市首日开盘价，国配簿记机构高位兑现几乎没有摩擦，这或会导致上市首日股价“高开低走”甚至破发的情形出现，打新参与者需警惕。

不过，虽未引入基石投资者，但基本半导体设置了“绿鞋”。稳价经办人可按发售价额外发行最多410.78万股股份，占全球发售总规模的15%。若基本半导体上市后出现破发情形，“绿鞋”将成为维稳公司股价的最后一道“缓冲垫”。

三年累亏超7.56亿，产业复苏难解盈利困局

当前港股打新情绪高涨，叠加SiC作为半导体赛道核心主线获资金密集追捧，无疑为基本半导体本次IPO提供了显著的短期情绪溢价。但需明确的是：情绪驱动的估值抬升仅作用于上市初期，决定股价最终走势的锚点还得是公司基本面。

对于冲刺港交所18C的基本半导体而言，市场对其IPO的最大分歧，从来不是碳化硅赛道的长期想象空间，而是短期盈利能力的迟迟难兑现。据招股书显示，2023至2025年，基本半导体的经调整净亏损分别约为3.13亿、2.03亿、2.40亿元，三年累计亏损总额高达7.56亿人民币。

这一困境首先来自行业周期的急转直下：2021-2022年全球缺芯潮下，碳化硅产品一度享受高额溢价，但随着国内外产能集中释放、赛道玩家批量涌入，价格战早已进入白热化。招股书数据显示，公司核心产品碳化硅功率模块的平均售价三年间从2558.7元一路跳水至677元，跌幅超过73%，单价缩水近四分之三。

而公司自身选择的IDM全链条模式，进一步放大了周期下行的压力。IDM模式虽能在行业上行期凭借全链条把控实现利润最大化，但在产能利用率偏低的下行期，晶圆厂、封装厂的厂房折旧、设备摊销、洁净室运维等固定成本却是刚性支出，无法通过缩减产能规避。2025年，公司承担晶圆制造职能的无锡生产基地利用率仅为40%，创下2023年以来的新低，过低的产能利用率直接导致单位产品的固定成本分摊居高不下。

两头挤压之下，基本半导体至今仍未走出毛亏区间：2023-2025年毛损率分别为59.6%、9.7%、10.9%，相当于2025年每卖出100元产品，就要承担10.9元的直接成本亏损。

如果说负毛利的现状是利润表上的显性缺口，那么持续高位的运营开支，就是让亏损始终难以收窄的隐性拖累。2023-2025年，公司销售、管理及研发费用合计占营收的比重分别达89.2%、71.2%和90.9%，相当于每产生1元收入，就有近9成要用于覆盖各项运营成本，盈利的安全垫几乎被完全侵蚀。

进一步拆解费用结构，研发投入是其中最核心的刚性支出：过去三年其占营收比重始终维持在30%-35%区间，2025年更是达到35.3%。这种高强度的投入，本质上是公司为搭建IDM全链条能力、推进车规级产品从认证到批量落地的必经阶段——这类绑定长期竞争力的前置性开支，很难随短期收入波动灵活削减，也直接拉长了盈利拐点的到来时间。

所幸，基本半导体在即将上市之际迎来了产业的边际改善窗口。继4月首轮提价后，英飞凌、TI等全球功率半导体龙头将于7月1日启动第二轮涨价，带动近20家产业链企业同步调价，为深陷连续亏损的基本半导体带来了一丝预期层面的暖意。但若穿透产业链结构拆解，这轮复苏的红利实则存在明确边界，呈现出了明显的结构性行情。

在硅基线端，在AI数据中心、新能源车800V、光储等高需求行业的带动以及8寸晶圆产能被AI/HBM挤占，这让IGBT和MOSFET成为这轮产业复苏中节奏最确定的环节，但这与主业为SiC的基本半导体不直接重叠，对于其而言更多的是“喜忧参半”。

“喜”的地方在于，占总收入33%的栅极驱动能吃到IGBT的涨价红利，这也是公司唯一正毛利的板块。“忧”的地方在于，收入占比近四成的SiC功率模块目前正处于国产替代“深水区”，为缩小与IGBT价差以加速渗透，国内市场仍奉行“渗透优先”策略，价格竞争胶着，导致英飞凌二轮涨价难以顺畅传导至国内车规模块端，ASP两年下滑73%的惯性目前尚未刹住。

而SiC分立器件(二极管、单管MOS)的盈利困境则更为严峻，该板块2025年毛损率仍高达65.4%，远未转正。这主要受制于两大因素：其一，成本端，衬底价格年内飙涨170%，但下游工规及消费电子客户对涨价接受度极低，导致成本传导机制近乎失效。

其二，产能端，中南及坪山模块产线处于爬坡期，优先占用了IDM内部的晶圆供给，导致分立器件稼动率承压，单位折旧分摊进一步恶化。尽管IDM模式具备长期成本对冲逻辑，但中山、无锡及坪山的新增产能需至2026年Q4至2027年间方能集中释放。在此空窗期内，高昂的外购衬底成本或将持续侵蚀盈利修复空间。

由此可见，尽管功率半导体行业已迈入复苏通道，但结构性分化特征显著。基本半导体内部亦呈现“冷热不均”态势：唯栅极驱动业务具备确定的业绩弹性，而作为营收支柱的SiC功率模块及分立器件仍深陷盈利泥潭。鉴于上述核心业务面临的短期压制因素，公司整体盈利兑现时点或将有所滞后，中短期内投资者对盈利反转不宜抱过高预期。